APT50GP60B2DQ2G

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Spécifications

Modèle de produit

APT50GP60B2DQ2G
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

IGBT 600V 150A 625W TMAX
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

APT50GP60B2DQ2G.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 50A
Condition de test

400V, 50A, 4.3 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C

19ns/85ns
énergie de commutation

465µJ (on), 635µJ (off)
Séries

POWER MOS 7®
Puissance - Max

625W
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-247-3 Variant
Autres noms

APT50GP60B2DQ2GMI
APT50GP60B2DQ2GMI-ND
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée

Standard
type de IGBT

PT
gate charge

165nC
Description détaillée

IGBT PT 600V 150A 625W Through Hole
Courant - Collecteur pulsée (Icm)

190A
Courant - Collecteur (Ic) (max)

150A

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Ce qui suit est des produits liés à "APT50GP60B2DQ2G".

APT50GP60JDQ2

La description: IGBT 600V 100A 329W SOT227

Fabricant: Microsemi

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