APT56M60B2

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Spécifications

Modèle de produit

APT56M60B2
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 600V 56A T-MAX
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.APT56M60B2.pdf
2.APT56M60B2.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-247 [B]
Séries

POWER MOS 8™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

130 mOhm @ 28A, 10V
Dissipation de puissance (max)

1040W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-247-3 Variant
Autres noms

APT56M60B2MP
APT56M60B2MP-ND
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

23 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

11300pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

280nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

600V
Description détaillée

N-Channel 600V 60A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

60A (Tc)

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "APT56M60B2".

APT56F60B2

La description: MOSFET N-CH 600V 60A TO-247

Fabricant: Microsemi

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