APT64GA90B2D30

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Spécifications

Modèle de produit

APT64GA90B2D30
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

IGBT 900V 117A 500W TO-247
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

APT64GA90B2D30.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

900V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic

3.1V @ 15V, 38A
Condition de test

600V, 38A, 4.7 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C

18ns/131ns
énergie de commutation

1192µJ (on), 1088µJ (off)
Séries

POWER MOS 8™
Puissance - Max

500W
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-247-3 Variant
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

29 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée

Standard
type de IGBT

PT
gate charge

162nC
Description détaillée

IGBT PT 900V 117A 500W Through Hole
Courant - Collecteur pulsée (Icm)

193A
Courant - Collecteur (Ic) (max)

117A

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Ce qui suit est des produits liés à "APT64GA90B2D30".

APT60N60SCSG

La description: MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK

Fabricant: Microsemi

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