APT75GN60LDQ3G

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Spécifications

Modèle de produit

APT75GN60LDQ3G
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

IGBT 600V 155A 536W TO264
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.APT75GN60LDQ3G.pdf
2.APT75GN60LDQ3G.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 75A
Condition de test

400V, 75A, 1 Ohm, 15V
Td (marche / arrêt) à 25 ° C

47ns/385ns
énergie de commutation

2500µJ (on), 2140µJ (off)
Package composant fournisseur

TO-264 [L]
Séries

-
Puissance - Max

536W
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-264-3, TO-264AA
Autres noms

APT75GN60LDQ3GMI
APT75GN60LDQ3GMI-ND
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

32 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée

Standard
type de IGBT

Trench Field Stop
gate charge

485nC
Description détaillée

IGBT Trench Field Stop 600V 155A 536W Through Hole TO-264 [L]
Courant - Collecteur pulsée (Icm)

225A
Courant - Collecteur (Ic) (max)

155A

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Ce qui suit est des produits liés à "APT75GN60LDQ3G".

APT75GP120J

La description: IGBT 1200V 128A 543W SOT227

Fabricant: Microsemi

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