APT80SM120J

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Spécifications

Modèle de produit

APT80SM120J
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

POWER MOSFET - SIC
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA
Vgs (Max)

+25V, -10V
La technologie

SiCFET (Silicon Carbide)
Package composant fournisseur

SOT-227
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

55 mOhm @ 40A, 20V
Dissipation de puissance (max)

273W (Tc)
Emballage

Bulk
Package / Boîte

SOT-227-4, miniBLOC
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

235nC @ 20V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

20V
Tension drain-source (Vdss)

1200V
Description détaillée

N-Channel 1200V 51A (Tc) 273W (Tc) Chassis Mount SOT-227
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

51A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "APT80SM120J".

APT80GA90B

La description: IGBT 900V 145A 625W TO247

Fabricant: Microsemi

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