APT97N65LC6

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Spécifications

Modèle de produit

APT97N65LC6
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

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La description

MOSFET N-CH 650V 97A TO-264
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

APT97N65LC6.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 2.96mA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-264 [L]
Séries

CoolMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

41 mOhm @ 48.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)

862W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-264-3, TO-264AA
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

20 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

7650pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

300nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

650V
Description détaillée

N-Channel 650V 97A (Tc) 862W (Tc) Through Hole TO-264 [L]
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

97A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "APT97N65LC6".

APT9F100B

La description: MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247

Fabricant: Microsemi

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