APTC60SKM35T1G

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Spécifications

Modèle de produit

APTC60SKM35T1G
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 600V 72A SP1
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.APTC60SKM35T1G.pdf
2.APTC60SKM35T1G.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 5.4mA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

SP1
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

35 mOhm @ 72A, 10V
Dissipation de puissance (max)

416W (Tc)
Emballage

Bulk
Package / Boîte

SP1
Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

14000pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

518nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

600V
Description détaillée

N-Channel 600V 72A (Tc) 416W (Tc) Chassis Mount SP1
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

72A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "APTC60SKM35T1G".

APTC80A15T1G

La description: MOSFET 2N-CH 800V 28A SP1

Fabricant: Microsemi

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