APTGF200A120D3G

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Spécifications

Modèle de produit

APTGF200A120D3G
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

IGBT MODULE NPT PHASE LEG D3
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 200A
Package composant fournisseur

D3
Séries

-
Puissance - Max

1400W
Package / Boîte

D-3 Module
Température de fonctionnement

-
NTC thermistance

No
Type de montage

Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce

13nF @ 25V
Contribution

Standard
type de IGBT

NPT
Description détaillée

IGBT Module NPT Half Bridge 1200V 300A 1400W Chassis Mount D3
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

5mA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

300A
Configuration

Half Bridge

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Ce qui suit est des produits liés à "APTGF200A120D3G".

APTGF25DDA120T3G

La description: IGBT MODULE NPT DL BST CHOP SP3

Fabricant: Microsemi

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