APTGL475U120DAG

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Spécifications

Modèle de produit

APTGL475U120DAG
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

POWER MOD IGBT4 SER DIODE SP6
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

APTGL475U120DAG.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 400A
Package composant fournisseur

SP6
Séries

-
Puissance - Max

2307W
Package / Boîte

SP6
Température de fonctionnement

-40°C ~ 175°C (TJ)
NTC thermistance

No
Type de montage

Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

32 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce

24.6nF @ 25V
Contribution

Standard
type de IGBT

Trench Field Stop
Description détaillée

IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 610A 2307W Chassis Mount SP6
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

4mA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

610A
Configuration

Single

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "APTGL475U120DAG".

APTGL60DSK120T3G

La description: MOD IGBT 1200V 80A SP3

Fabricant: Microsemi

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