APTGT100A602G

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Spécifications

Modèle de produit

APTGT100A602G
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOD IGBT 600V 150A SP2
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

600V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 100A
Package composant fournisseur

SP2
Séries

-
Puissance - Max

340W
Package / Boîte

SP2
Température de fonctionnement

-40°C ~ 175°C (TJ)
NTC thermistance

No
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce

6.1nF @ 25V
Contribution

Standard
type de IGBT

Trench Field Stop
Description détaillée

IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 600V 150A 340W Through Hole SP2
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

50µA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

150A
Configuration

Half Bridge

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Ce qui suit est des produits liés à "APTGT100A602G".

APTGLQ75H120TG

La description: POWER MODULE - IGBT

Fabricant: Microsemi

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