APTGT200DH120G

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Spécifications

Modèle de produit

APTGT200DH120G
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.APTGT200DH120G.pdf
2.APTGT200DH120G.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

1200V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 200A
Package composant fournisseur

SP6
Séries

-
Puissance - Max

890W
Package / Boîte

SP6
Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)
NTC thermistance

No
Type de montage

Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

32 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce

14nF @ 25V
Contribution

Standard
type de IGBT

Trench Field Stop
Description détaillée

IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 1200V 280A 890W Chassis Mount SP6
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

350µA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

280A
Configuration

Asymmetrical Bridge

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "APTGT200DH120G".

APTGT200A120G

La description: POWER MODULE IGBT 1200V 200A SP6

Fabricant: Microsemi

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