APTGT50A170D1G

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Spécifications

Modèle de produit

APTGT50A170D1G
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

1700V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 50A
Package composant fournisseur

D1
Séries

-
Puissance - Max

310W
Package / Boîte

D1
Température de fonctionnement

-
NTC thermistance

No
Type de montage

Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce

4.4nF @ 25V
Contribution

Standard
type de IGBT

Trench Field Stop
Description détaillée

IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1700V 70A 310W Chassis Mount D1
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

6mA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

70A
Configuration

Half Bridge

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APTGT50A170T1G

La description: IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP1

Fabricant: Microsemi

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