APTGTQ200A65T3G

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Spécifications

Modèle de produit

APTGTQ200A65T3G
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

POWER MODULE - IGBT
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

APTGTQ200A65T3G.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

650V
Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 200A
Package composant fournisseur

SP3F
Séries

-
Puissance - Max

483W
Package / Boîte

Module
Température de fonctionnement

-40°C ~ 175°C (TJ)
NTC thermistance

Yes
Type de montage

Chassis Mount
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce

12nF @ 25V
Contribution

Standard
type de IGBT

-
Description détaillée

IGBT Module Half Bridge 650V 200A 483W Chassis Mount SP3F
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

200µA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

200A
Configuration

Half Bridge

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livraison
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APTGTQ100DDA65T3G

La description: POWER MODULE - IGBT

Fabricant: Microsemi

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