APTM100UM60FAG

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Spécifications

Modèle de produit

APTM100UM60FAG
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 1000V 129A SP6
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.APTM100UM60FAG.pdf
2.APTM100UM60FAG.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 15mA
Vgs (Max)

±30V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

SP6
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

70 mOhm @ 64.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)

2272W (Tc)
Emballage

Bulk
Package / Boîte

SP6
Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

32 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

31100pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

1116nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

1000V
Description détaillée

N-Channel 1000V 129A (Tc) 2272W (Tc) Chassis Mount SP6
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

129A (Tc)

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APTM100UM65DAG

La description: MOSFET N-CH 1000V 145A SP6

Fabricant: Microsemi

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