APTM10DHM05G

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Spécifications

Modèle de produit

APTM10DHM05G
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET 2N-CH 100V 278A SP6
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

1.APTM10DHM05G.pdf
2.APTM10DHM05G.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 5mA
Package composant fournisseur

SP6
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

5 mOhm @ 125A, 10V
Puissance - Max

780W
Emballage

Bulk
Package / Boîte

SP6
Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

32 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

20000pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

700nC @ 10V
type de FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Fonction FET

Standard
Tension drain-source (Vdss)

100V
Description détaillée

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 100V 278A 780W Chassis Mount SP6
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

278A

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Ce qui suit est des produits liés à "APTM10DHM05G".

APTM10DSKM09T3G

La description: MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3

Fabricant: Microsemi

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