APTMC120HM17CT3AG

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Spécifications

Modèle de produit

APTMC120HM17CT3AG
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

POWER MODULE - SIC MOSFET
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

APTMC120HM17CT3AG.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 30mA
Package composant fournisseur

SP3
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

17 mOhm @ 100A, 20V
Puissance - Max

750W
Package / Boîte

Module
Température de fonctionnement

-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Chassis Mount
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

5576pF @ 1000V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

332nC @ 5V
type de FET

4 N-Channel
Fonction FET

Silicon Carbide (SiC)
Tension drain-source (Vdss)

1200V (1.2kV)
Description détaillée

Mosfet Array 4 N-Channel 1200V (1.2kV) 147A (Tc) 750W Chassis Mount SP3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

147A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "APTMC120HM17CT3AG".

APTMC120TAM12CTPAG

La description: MOSFET 6N-CH 1200V 220A SP6P

Fabricant: Microsemi

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