APTSM120AM09CD3AG

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Spécifications

Modèle de produit

APTSM120AM09CD3AG
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET 2 N-CH 1200V 337A MODULE
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 9mA
Package composant fournisseur

Module
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

11 mOhm @ 180A, 20V
Emballage

Bulk
Package / Boîte

Module
Température de fonctionnement

-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

14 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

23000pF @ 1000V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

1224nC @ 20V
type de FET

2 N-Channel (Dual)
Fonction FET

Silicon Carbide (SiC)
Tension drain-source (Vdss)

1200V (1.2kV)
Description détaillée

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 337A (Tc) Chassis Mount Module
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

337A (Tc)

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livraison
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APTSM120AM08CT6AG

La description: POWER MODULE - SIC

Fabricant: Microsemi

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