JAN1N3647

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Spécifications

Modèle de produit

JAN1N3647
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 3KV 250MA AXIAL
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

JAN1N3647.pdf
Modèle ECAD
Tension - Inverse de crête (max)

Standard
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

250mA
Tension - Ventilation

S, Axial
Séries

Military, MIL-PRF-19500/279
État RoHS

Bulk
Temps de recouvrement inverse (trr)

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Résistance @ Si, F

-
Polarisation

S, Axial
Autres noms

1086-16800
1086-16800-MIL
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

8 Weeks
Référence fabricant

JAN1N3647
Description élargie

Diode Standard 3000V (3kV) 250mA Through Hole S, Axial
Configuration diode

5µA @ 1500V
La description

DIODE GEN PURP 3KV 250MA AXIAL
Courant - fuite, inverse à Vr

5V @ 250mA
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)

3000V (3kV)
Capacité à Vr, F

-65°C ~ 150°C

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Ce qui suit est des produits liés à "JAN1N3647".

JAN1N3673A

La description: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

Fabricant: Microsemi

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