JAN1N6077

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Spécifications

Modèle de produit

JAN1N6077
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 100V 1.3A AXIAL
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

JAN1N6077.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1.76V @ 18.8A
Tension - inverse (Vr) (max)

100V
Package composant fournisseur

E-PAK
La vitesse

Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries

Military, MIL-PRF-19500/503
Temps de recouvrement inverse (trr)

30ns
Emballage

Bulk
Package / Boîte

E, Axial
Autres noms

1086-19453
1086-19453-MIL
Température d'utilisation - Jonction

-65°C ~ 155°C
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Type de diode

Standard
Description détaillée

Diode Standard 100V 1.3A Through Hole E-PAK
Courant - fuite, inverse à Vr

5µA @ 100V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

1.3A
Capacité à Vr, F

-

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Ce qui suit est des produits liés à "JAN1N6077".

JAN1N6053A

La description: TVS DIODE 33V 53.9V DO13

Fabricant: Microsemi

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