Pour les visiteurs de Electronica 2024

Réservez votre temps maintenant!

Il suffit de quelques clics pour réserver votre place et obtenir le billet de stand

Hall C5 Booth 220

Inscription à l'avance

Pour les visiteurs de Electronica 2024
Vous êtes tous inscrits! Merci d'avoir pris rendez-vous!
Nous vous enverrons les billets de stand par e-mail une fois que nous aurons vérifié votre réservation.
Accueil > Centre des produits > Protection des circuits > TVS - Diodes > JAN1N6471US
RFQs/Ordre (0)
Français
Français
6362107

JAN1N6471US

Demander une offre en ligne

Veuillez compléter tous les champs requis avec vos coordonnées. Cliquez sur "Soumettre RFQ", nous vous contacterons sous peu par e-mail.Ou envoyez-nous un e-mail:info@ftcelectronics.com

Prix de référence (en dollars américains)

En stock
100+
$29.529
Enquête en ligne
Spécifications
  • Modèle de produit
    JAN1N6471US
  • Fabricant / marque
    Microsemi
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    TVS DIODE 12V 22.6V GMELF
  • État sans plomb / État RoHS
    Contient du plomb / Non conforme à RoHS
  • Livret des spécifications
    JAN1N6471US.pdf
  • Tension - inverse (typ)
    12V
  • Tension - Clamping (Max) @ Ipp
    22.6V
  • Tension - Réduction (Min)
    13.6V
  • Canaux unidirectionnels
    1
  • Type
    Zener
  • Package composant fournisseur
    G-MELF (D-5C)
  • Séries
    Military, MIL-PRF-19500/552
  • Protection de ligne électrique
    No
  • Power - Peak Pulse
    1500W (1.5kW)
  • Emballage
    Bulk
  • Package / Boîte
    SQ-MELF, G
  • Autres noms
    1086-2287
    1086-2287-MIL
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Courant - Pulse (10 / 1000μs)
    374A (8/20µs)
  • Capacitance @ Fréquence
    -
  • Applications
    General Purpose

Anthropic reçoit un autre investissement de 4 milliards de...

2024/11/23

Semi: les ventes IC augmentent de 12% au troisième tri...

2024/11/22

Il est signalé que Kioxia recevra l'approbation de la ...

2024/11/21

La dernière plate-forme optique en silicium de Tower Semic...

2024/11/20

L'industrie se rétablit lentement.Le fournisseur épit...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Fournisseur: Un grand nombre de composants GPU de la série...

2024/11/18

Taiwan, la valeur de production de la semi-conducteur en Ch...

2024/11/17

Expansion de la production de panneaux OLED, LG Display inv...

2024/11/15

Amazon augmente les efforts pour créer des puces d'IA ...

2024/11/14

Le bénéfice net du Q3 de Pegatron était de 4,296 milliar...

2024/11/13
Expédition
Paiement
Ce qui suit est des produits liés à "JAN1N6471US".
JAN1N6470US

JAN1N6470US

La description: TVS DIODE 6V 11V GMELF

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6467US

JAN1N6467US

La description: TVS DIODE 40.3V 63.5V B SQ-MELF

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6469

JAN1N6469

La description: TVS DIODE 5V 9V AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N647-1

JAN1N647-1

La description: DIODE GEN PURP 400V 400MA DO35

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6475

JAN1N6475

La description: TVS DIODE 40.3V 63.5V AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6468

JAN1N6468

La description: TVS DIODE 51.6V 78.5V AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6470

JAN1N6470

La description: TVS DIODE 6VWM 11VC GPKG AXIAL

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
RFQ
JAN1N6474

JAN1N6474

La description: TVS DIODE 30.5V 47.5V AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6468US

JAN1N6468US

La description: TVS DIODE 51.6V 78.5V B SQ-MELF

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6467

JAN1N6467

La description: TVS DIODE 40.3V 63.5V AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6472US

JAN1N6472US

La description: TVS DIODE 15V 26.5V GMELF

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6473

JAN1N6473

La description: TVS DIODE 24V 41.4V AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6471

JAN1N6471

La description: TVS DIODE 12V 22.6V AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6475US

JAN1N6475US

La description: TVS DIODE 40.3V 63.5V GMELF

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6472

JAN1N6472

La description: TVS DIODE 15V 26.5V AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6473US

JAN1N6473US

La description: TVS DIODE 24V 41.4V GMELF

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6469US

JAN1N6469US

La description: TVS DIODE 5V 9V GMELF

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6474US

JAN1N6474US

La description: TVS DIODE 30.5V 47.5V GMELF

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6476

JAN1N6476

La description: TVS DIODE 51.6V 78.5V AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6476US

JAN1N6476US

La description: TVS DIODE 51.6V 78.5V GMELF

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
En tant que seul distributeur public sur le marché libre, nous possédons une combinaison unique d'accès mondial, d'expertise de l'industrie manufacturière et de qualité éprouvée.Avec cela, nous pouvons créer des solutions personnalisées de la chaîne d'approvisionnement de bout en bout pour l'approvisionnement en composants électroniques et la gestion des stocks.
Suivez-nous
termes et conditionsPolitique d'infractionDemander un devisÀ propos de nousContactez-nousSite

Choisir la langue

Cliquez sur l'espace pour quitter

Langue courante

Choisissez votre pays ou région.