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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Diodes - redresseurs - Single > JAN1N6627U
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JAN1N6627U

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Spécifications
  • Modèle de produit
    JAN1N6627U
  • Fabricant / marque
    Microsemi
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    DIODE GEN PURP 400V 1.75A E-MELF
  • État sans plomb / État RoHS
    Contient du plomb / Non conforme à RoHS
  • Tension - Inverse de crête (max)
    Standard
  • Tension - directe (Vf) (max) @ Si
    1.75A
  • Tension - Ventilation
    D-5B
  • Séries
    Military, MIL-PRF-19500/590
  • État RoHS
    Bulk
  • Temps de recouvrement inverse (trr)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Résistance @ Si, F
    -
  • Polarisation
    SQ-MELF, E
  • Autres noms
    1086-19981
    1086-19981-MIL
  • Température d'utilisation - Jonction
    30ns
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Référence fabricant
    JAN1N6627U
  • Description élargie
    Diode Standard 400V 1.75A Surface Mount D-5B
  • Configuration diode
    2µA @ 400V
  • La description
    DIODE GEN PURP 400V 1.75A E-MELF
  • Courant - fuite, inverse à Vr
    1.35V @ 2A
  • Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)
    400V
  • Capacité à Vr, F
    -65°C ~ 150°C

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Expédition
Paiement
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JAN1N6627US

JAN1N6627US

La description: DIODE GEN PURP 440V 1.75A D5B

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6626

JAN1N6626

La description: DIODE GEN PURP 220V 1.75A AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6628US

JAN1N6628US

La description: DIODE GEN PURP 660V 1.75A D5B

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6624U

JAN1N6624U

La description: DIODE GEN PURP 900V 1A A-MELF

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
RFQ
JAN1N6629U

JAN1N6629U

La description: DIODE GEN PURP 800V 1.4A E-MELF

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6630

JAN1N6630

La description: DIODE GEN PURP 900V 1.4A AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6628

JAN1N6628

La description: DIODE GEN PURP 660V 1.75A AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6628U

JAN1N6628U

La description: DIODE GEN PURP 600V 1.75A E-MELF

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6630US

JAN1N6630US

La description: DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6629US

JAN1N6629US

La description: DIODE GEN PURP 880V 1.4A D5B

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6624

JAN1N6624

La description: DIODE GEN PURP 900V 1A AXIAL

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
RFQ
JAN1N6626U

JAN1N6626U

La description: DIODE GEN PURP 200V 1.75A E-MELF

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
RFQ
JAN1N6629

JAN1N6629

La description: DIODE GEN PURP 880V 1.4A AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6625U

JAN1N6625U

La description: DIODE GEN PURP 1KV 1A A-MELF

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
RFQ
JAN1N6625US

JAN1N6625US

La description: DIODE GEN PURP 1.1KV 1A D5A

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6624US

JAN1N6624US

La description: DIODE GEN PURP 990V 1A D5A

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6627

JAN1N6627

La description: DIODE GEN PURP 440V 1.75A AXIAL

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6630U

JAN1N6630U

La description: DIODE GEN PURP 900V 1.4A E-MELF

Fabricant: Microsemi
En stock
RFQ
JAN1N6626US

JAN1N6626US

La description: DIODE GEN PURP 220V 1.75A D5B

Fabricant: Microsemi
En stock
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JAN1N6625

JAN1N6625

La description: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Fabricant: Microsemi Corporation
En stock
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