JAN2N2222AUB

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Spécifications

Modèle de produit

JAN2N2222AUB
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS NPN 50V 0.8A
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

JAN2N2222AUB.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

1V @ 50mA, 500mA
Transistor Type

NPN
Séries

Military, MIL-PRF-19500/255
Puissance - Max

500mW
Emballage

Bulk
Package / Boîte

3-SMD, Non-Standard
Autres noms

1086-2326
1086-2326-MIL
Température de fonctionnement

-65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

8 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Fréquence - Transition

-
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 800mA 500mW Surface Mount
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

50nA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

800mA

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Ce qui suit est des produits liés à "JAN2N2222AUB".

JAN2N2324AS

La description: DIODE SILICON CTRL TO39

Fabricant: Microsemi

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