JAN2N2432

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Spécifications

Modèle de produit

JAN2N2432
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS NPN 30V 0.1A
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

JAN2N2432.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

30V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

150mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type

NPN
Package composant fournisseur

TO-18 (TO-206AA)
Séries

Military, MIL-PRF-19500/313
Puissance - Max

360mW
Emballage

Bulk
Package / Boîte

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Autres noms

1086-16081
1086-16081-MIL
Température de fonctionnement

-65°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Fréquence - Transition

-
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor NPN 30V 100mA 360mW Through Hole TO-18 (TO-206AA)
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

80 @ 1mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

10nA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

100mA

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Ce qui suit est des produits liés à "JAN2N2432".

JAN2N2329AS

La description: SCR 400V TO205AA

Fabricant: Microsemi

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