JAN2N3507L

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Spécifications

Modèle de produit

JAN2N3507L
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS NPN 50V 3A TO5
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

JAN2N3507L.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

1.5V @ 250mA, 2.5A
Transistor Type

NPN
Package composant fournisseur

TO-5
Séries

Military, MIL-PRF-19500/349
Puissance - Max

1W
Emballage

Bulk
Package / Boîte

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Autres noms

1086-20854
1086-20854-MIL
Température de fonctionnement

-65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

22 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Fréquence - Transition

-
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 3A 1W Through Hole TO-5
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 1.5A, 2V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

-
Courant - Collecteur (Ic) (max)

3A

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JAN2N3507A

La description: TRANS NPN 50V 3A TO39

Fabricant: Microsemi

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