JAN2N3637UB

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Spécifications

Modèle de produit

JAN2N3637UB
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS PNP 175V 1A
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

JAN2N3637UB.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

175V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 50mA
Transistor Type

PNP
Package composant fournisseur

3-SMD
Séries

Military, MIL-PRF-19500/357
Puissance - Max

1.5W
Emballage

Bulk
Package / Boîte

3-SMD, No Lead
Autres noms

1086-20895
1086-20895-MIL
Température de fonctionnement

-65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

23 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Fréquence - Transition

-
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor PNP 175V 1A 1.5W Surface Mount 3-SMD
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 50mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

10µA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

1A

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Ce qui suit est des produits liés à "JAN2N3637UB".

JAN2N3716

La description: TRANS NPN 80V 10A TO-3

Fabricant: Microsemi

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