JAN2N5416

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Spécifications

Modèle de produit

JAN2N5416
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS PNP 300V 1A TO5
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

JAN2N5416.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

300V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

2V @ 5mA, 50mA
Transistor Type

PNP
Package composant fournisseur

TO-5
Séries

Military, MIL-PRF-19500/485
Puissance - Max

750mW
Emballage

Bulk
Package / Boîte

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Autres noms

1086-21051
1086-21051-MIL
Température de fonctionnement

-65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Fréquence - Transition

-
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor PNP 300V 1A 750mW Through Hole TO-5
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

30 @ 50mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

1mA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

1A

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JAN2N5416S

La description: TRANS PNP 300V 1A TO-39

Fabricant: Microsemi

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