JAN2N5667

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Spécifications

Modèle de produit

JAN2N5667
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS NPN 300V 5A TO-5
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

JAN2N5667.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

300V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

1V @ 1A, 5A
Transistor Type

NPN
Package composant fournisseur

TO-5
Séries

Military, MIL-PRF-19500/455
Puissance - Max

1.2W
Emballage

Bulk
Package / Boîte

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Autres noms

1086-21069
1086-21069-MIL
Température de fonctionnement

-65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

22 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Fréquence - Transition

-
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor NPN 300V 5A 1.2W Through Hole TO-5
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

25 @ 1A, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

200nA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

5A

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JAN2N5662

La description: TRANS NPN 200V 2A TO-5

Fabricant: Microsemi

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