JAN2N6770

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Spécifications

Modèle de produit

JAN2N6770
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH TO-204AE TO-3
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

JAN2N6770.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-204AE (TO-3)
Séries

Military, MIL-PRF-19500/543
Rds On (Max) @ Id, Vgs

500 mOhm @ 12A, 10V
Dissipation de puissance (max)

4W (Ta), 150W (Tc)
Emballage

Bulk
Package / Boîte

TO-204AE
Autres noms

JAN2N6770-MIL
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

120nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

500V
Description détaillée

N-Channel 500V 12A (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-204AE (TO-3)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

12A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "JAN2N6770".

JAN2N6796

La description: MOSFET N-CH TO-205AF TO-39

Fabricant: Microsemi

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