JAN2N7335

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Spécifications

Modèle de produit

JAN2N7335
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

JAN2N7335.pdf
Modèle ECAD
Tension - Test

-
Vgs (th) (Max) @ Id

1.4 Ohm @ 500mA, 10V
Séries

Military, MIL-PRF-19500/599
État RoHS

Bulk
Rds On (Max) @ Id, Vgs

750mA
Puissance - Max

1.4W
Polarisation

14-DIP (0.300", 7.62mm)
Autres noms

JAN2N7335-MIL
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Référence fabricant

JAN2N7335
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

-
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

4V @ 250µA
Fonction FET

4 P-Channel
Description élargie

Mosfet Array 4 P-Channel 100V 750mA 1.4W Through Hole
Tension drain-source (Vdss)

Standard
La description

MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

100V

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JAN2N7224U

La description: MOSFET N-CH TO-267AB

Fabricant: Microsemi

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