JANSR2N3440

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Spécifications

Modèle de produit

JANSR2N3440
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

RH POWER BJT
État sans plomb / État RoHS

RoHS non conforme
Livret des spécifications

JANSR2N3440.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

250V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 4mA, 50mA
Transistor Type

NPN
Package composant fournisseur

TO-39
Séries

Military, MIL-PRF-19500/368
Statut RoHS

RoHS non-compliant
Package / Boîte

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Température de fonctionnement

-65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Délai de livraison standard du fabricant

33 Weeks
Fréquence - Transition

-
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor NPN 250V 1A Through Hole TO-39
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 20mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

2µA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

1A

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JANSF2N2484

La description: SMALL-SIGNAL BJT

Fabricant: Microsemi

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