JANTX1N6073

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Spécifications

Modèle de produit

JANTX1N6073
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 50V 850MA AXIAL
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

JANTX1N6073.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

2.04V @ 9.4A
Tension - inverse (Vr) (max)

50V
Package composant fournisseur

A-PAK
La vitesse

Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries

Military, MIL-PRF-19500/503
Temps de recouvrement inverse (trr)

30ns
Emballage

Bulk
Package / Boîte

A, Axial
Autres noms

1086-19448
1086-19448-MIL
Température d'utilisation - Jonction

-65°C ~ 155°C
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Type de diode

Standard
Description détaillée

Diode Standard 50V 850mA Through Hole A-PAK
Courant - fuite, inverse à Vr

1µA @ 50V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

850mA
Capacité à Vr, F

-

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "JANTX1N6073".

JANTX1N6081

La description: DIODE GEN PURP 150V 2A AXIAL

Fabricant: Microsemi Corporation

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