JANTX1N6641US

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Spécifications

Modèle de produit

JANTX1N6641US
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 50V 300MA B-MELF
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

JANTX1N6641US.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1.1V @ 300mA
Tension - inverse (Vr) (max)

50V
Package composant fournisseur

D-5B
La vitesse

Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries

Military, MIL-PRF-19500/609
Temps de recouvrement inverse (trr)

5ns
Emballage

Bulk
Package / Boîte

SQ-MELF, B
Autres noms

1086-20019
1086-20019-MIL
Température d'utilisation - Jonction

-65°C ~ 175°C
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

8 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Type de diode

Standard
Description détaillée

Diode Standard 50V 300mA (DC) Surface Mount D-5B
Courant - fuite, inverse à Vr

100µA @ 50V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

300mA (DC)
Capacité à Vr, F

-

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Ce qui suit est des produits liés à "JANTX1N6641US".

JANTX1N6642UB

La description: DIODE GEN PURP 75V 300MA UB

Fabricant: Microsemi

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