JANTXV1N3768

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Spécifications

Modèle de produit

JANTXV1N3768
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203AB
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

JANTXV1N3768.pdf
Modèle ECAD
Tension - Inverse de crête (max)

Standard
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

35A
Tension - Ventilation

DO-5
Séries

Military, MIL-PRF-19500/297
État RoHS

Bulk
Temps de recouvrement inverse (trr)

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Résistance @ Si, F

-
Polarisation

DO-203AB, DO-5, Stud
Autres noms

1086-16820
1086-16820-MIL
Type de montage

Chassis, Stud Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Référence fabricant

JANTXV1N3768
Description élargie

Diode Standard 1000V (1kV) 35A Chassis, Stud Mount DO-5
Configuration diode

10µA @ 1000V
La description

DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203AB
Courant - fuite, inverse à Vr

1.4V @ 110A
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)

1000V (1kV)
Capacité à Vr, F

-65°C ~ 175°C

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Ce qui suit est des produits liés à "JANTXV1N3768".

JANTXV1N3673AR

La description: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO203AA

Fabricant: Microsemi Corporation

En stock

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