JANTXV1N3893

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Spécifications

Modèle de produit

JANTXV1N3893
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 400V 12A DO35
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

JANTXV1N3893.pdf
Modèle ECAD
Tension - Inverse de crête (max)

Standard
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

12A
Tension - Ventilation

DO-203AA (DO-4)
Séries

Military, MIL-PRF-19500/304
État RoHS

Bulk
Temps de recouvrement inverse (trr)

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Résistance @ Si, F

115pF @ 10V, 1MHz
Polarisation

DO-203AA, DO-4, Stud
Autres noms

1086-15706
1086-15706-MIL
Température d'utilisation - Jonction

200ns
Type de montage

Chassis, Stud Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Référence fabricant

JANTXV1N3893
Description élargie

Diode Standard 400V 12A Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4)
Configuration diode

10µA @ 400V
La description

DIODE GEN PURP 400V 12A DO35
Courant - fuite, inverse à Vr

1.5V @ 20A
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)

400V
Capacité à Vr, F

-65°C ~ 175°C

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Ce qui suit est des produits liés à "JANTXV1N3893".

JANTXV1N4100-1

La description: DIODE ZENER 7.5V 500MW DO35

Fabricant: Microsemi

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