JANTXV1N6642US

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Spécifications

Modèle de produit

JANTXV1N6642US
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

DIODE GEN PURP 100V 300MA D5B
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

JANTXV1N6642US.pdf
Modèle ECAD
Tension - directe (Vf) (max) @ Si

1.2V @ 100mA
Tension - inverse (Vr) (max)

100V
Package composant fournisseur

D-5B
La vitesse

Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries

Military, MIL-PRF-19500/578
Temps de recouvrement inverse (trr)

20ns
Emballage

Bulk
Package / Boîte

SQ-MELF, B
Autres noms

1086-3039
1086-3039-MIL
Température d'utilisation - Jonction

-65°C ~ 175°C
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

12 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Type de diode

Standard
Description détaillée

Diode Standard 100V 300mA Surface Mount D-5B
Courant - fuite, inverse à Vr

500nA @ 100V
Courant - Rectifié moyenne (Io)

300mA
Capacité à Vr, F

-

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JANTXV1N6643U

La description: DIODE GEN PURP 75V 300MA D-MELF

Fabricant: Microsemi

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