420031

JANTXV2N6798

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Spécifications

Modèle de produit

JANTXV2N6798
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-205AF (TO-39)
Séries

Military, MIL-PRF-19500/557
Rds On (Max) @ Id, Vgs

420 mOhm @ 5.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)

800mW (Ta), 25W (Tc)
Emballage

Bulk
Package / Boîte

TO-205AF Metal Can
Autres noms

JANTXV2N6798-MIL
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

42.07nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

200V
Description détaillée

N-Channel 200V 5.5A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-205AF (TO-39)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

5.5A (Tc)

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JANTXV2N6788U

La description: MOSFET N-CH 100V 4.5A

Fabricant: Microsemi

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