JANTXV2N6987

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Spécifications

Modèle de produit

JANTXV2N6987
Fabricant / marque

Microsemi
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS 4PNP 60V 0.6A TO116
État sans plomb / État RoHS

Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Livret des spécifications

JANTXV2N6987.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 50mA, 500mA
Transistor Type

4 PNP (Quad)
Package composant fournisseur

-
Séries

Military, MIL-PRF-19500/558
Puissance - Max

1.5W
Emballage

Bulk
Package / Boîte

14-DIP (0.300", 7.62mm)
Autres noms

1086-3095
1086-3095-MIL
Température de fonctionnement

-65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

23 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Fréquence - Transition

-
Description détaillée

Bipolar (BJT) Transistor Array 4 PNP (Quad) 60V 600mA 1.5W Through Hole
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

10µA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max)

600mA

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JANTXV2N6798U

La description: MOSFET N-CH

Fabricant: Microsemi

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