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4990406PHP119NQ06T,127 imageNXP Semiconductors / Freescale

PHP119NQ06T,127

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Spécifications
  • Modèle de produit
    PHP119NQ06T,127
  • Fabricant / marque
    Freescale / NXP Semiconductors
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    PHP119NQ06T,127.pdf
  • Vgs (th) (Max) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • La technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Package composant fournisseur
    TO-220AB
  • Séries
    TrenchMOS™
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7.1 mOhm @ 25A, 10V
  • Dissipation de puissance (max)
    200W (Tc)
  • Emballage
    Tube
  • Package / Boîte
    TO-220-3
  • Autres noms
    934058552127
    PHP119NQ06T
    PHP119NQ06T-ND
  • Température de fonctionnement
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Type de montage
    Through Hole
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
    2820pF @ 25V
  • Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs
    53nC @ 10V
  • type de FET
    N-Channel
  • Fonction FET
    -
  • Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)
    10V
  • Tension drain-source (Vdss)
    55V
  • Description détaillée
    N-Channel 55V 75A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
  • Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C
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Expédition
Paiement
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