BSP110,115

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Spécifications

Modèle de produit

BSP110,115
Fabricant / marque

Nexperia
Quantité en stock

En stock
La description

MOSFET N-CH 100V 520MA SOT223
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

BSP110,115.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

SOT-223
Séries

TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

10 Ohm @ 150mA, 5V
Dissipation de puissance (max)

6.25W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-261-4, TO-261AA
Autres noms

568-6812-2
934000600115
BSP110 T/R
BSP110 T/R-ND
BSP110,115-ND
BSP110115
Température de fonctionnement

-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

40pF @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

5V
Tension drain-source (Vdss)

100V
Description détaillée

N-Channel 100V 520mA (Tc) 6.25W (Tc) Surface Mount SOT-223
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

520mA (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "BSP110,115".

BSP123E6327T

La description: MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223

Fabricant: International Rectifier (Infineon Technologies)

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BSP110,115

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