BST82,235

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Spécifications

Modèle de produit

BST82,235
Fabricant / marque

Nexperia
Quantité en stock

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La description

MOSFET N-CH 100V 190MA SOT-23
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

BST82,235.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-236AB (SOT23)
Séries

TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

10 Ohm @ 150mA, 5V
Dissipation de puissance (max)

830mW (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms

933733110235
BST82 /T3
BST82 /T3-ND
Température de fonctionnement

150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

40pF @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

5V
Tension drain-source (Vdss)

100V
Description détaillée

N-Channel 100V 190mA (Ta) 830mW (Tc) Surface Mount TO-236AB (SOT23)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

190mA (Ta)

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BST72A,112

La description: MOSFET N-CH 100V 190MA SOT54

Fabricant: NXP Semiconductors / Freescale

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