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PEMD6,115

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Spécifications
  • Modèle de produit
    PEMD6,115
  • Fabricant / marque
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    100mV @ 250µA, 5mA
  • Transistor Type
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Package composant fournisseur
    SOT-666
  • Séries
    -
  • Résistance - Base de l'émetteur (R2)
    -
  • Résistance - Base (R1)
    4.7 kOhms
  • Puissance - Max
    300mW
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    SOT-563, SOT-666
  • Autres noms
    934056709115
    PEMD6 T/R
    PEMD6 T/R-ND
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    13 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Fréquence - Transition
    -
  • Description détaillée
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    200 @ 1mA, 5V
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    1µA
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    100mA
  • Numéro de pièce de base
    P*MD6
PEMD20,115

PEMD20,115

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PEMD30,115

PEMD30,115

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PEMF21,115

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PEMH13,115

PEMH13,115

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PEMH14,115

PEMH14,115

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PEMD48,115

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PEMD9,115

PEMD9,115

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PEMH11,115

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PEMH13,315

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PEMD3,115

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PEMD3,315

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PEMD4,115

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PEMH1,115

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PEMD2,115

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PEMD2,315

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PEMD24,115

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PEMH10,115

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PEMD9,315

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PEMD30,315

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