PHT6NQ10T,135

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Spécifications

Modèle de produit

PHT6NQ10T,135
Fabricant / marque

Nexperia
Quantité en stock

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La description
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

PHT6NQ10T,135.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

SOT-223
Séries

TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

90 mOhm @ 3A, 10V
Dissipation de puissance (max)

1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

TO-261-4, TO-261AA
Autres noms

1727-5352-1
568-6791-1
568-6791-1-ND
Température de fonctionnement

-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

633pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

100V
Description détaillée

N-Channel 100V 3A (Ta) 1.8W (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount SOT-223
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

3A (Ta)

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Ce qui suit est des produits liés à "PHT6NQ10T,135".

PHT11N06LT,135

La description: MOSFET N-CH 55V 4.9A SOT223

Fabricant: NXP Semiconductors / Freescale

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