PMV100ENEAR

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Spécifications

Modèle de produit

PMV100ENEAR
Fabricant / marque

Nexperia
Quantité en stock

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La description

MOSFET N-CH 30V TO-236AB
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

PMV100ENEAR.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-236AB (SOT23)
Séries

Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs

72 mOhm @ 3A, 10V
Dissipation de puissance (max)

460mW (Ta), 4.5W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Autres noms

1727-2524-2
568-12963-2-ND
934068713215
PMV100ENEAR-ND
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

8 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

160pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

5.5nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

N-Channel 30V 3A (Ta) 460mW (Ta), 4.5W (Tc) Surface Mount TO-236AB (SOT23)
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

3A (Ta)

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Ce qui suit est des produits liés à "PMV100ENEAR".

PMV117EN,215

La description: MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT23

Fabricant: NXP Semiconductors / Freescale

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