PMXB65ENEZ

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Spécifications

Modèle de produit

PMXB65ENEZ
Fabricant / marque

Nexperia
Quantité en stock

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La description

MOSFET N-CH 30V 3.2A 3DFN
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

PMXB65ENEZ.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

DFN1010D-3
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

67 mOhm @ 3.2A, 10V
Dissipation de puissance (max)

400mW (Ta), 8.33W (Tc)
Emballage

Tape & Reel (TR)
Package / Boîte

3-XDFN Exposed Pad
Autres noms

1727-1478-2
1727-1478-2INACTIVE-ND
568-10949-2
568-10949-2-ND
934067148147
PMXB65ENE
PMXB65ENEZ-ND
Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

8 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

295pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)

30V
Description détaillée

N-Channel 30V 3.2A (Ta) 400mW (Ta), 8.33W (Tc) Surface Mount DFN1010D-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

3.2A (Ta)

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livraison
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Ce qui suit est des produits liés à "PMXB65ENEZ".

FQPF50N06

La description: MOSFET N-CH 60V 31A TO-220F

Fabricant: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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