PSMN015-110P,127

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Spécifications

Modèle de produit

PSMN015-110P,127
Fabricant / marque

Nexperia
Quantité en stock

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La description

MOSFET N-CH 110V 75A TO220AB
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

PSMN015-110P,127.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

TO-220AB
Séries

TrenchMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

15 mOhm @ 25A, 10V
Dissipation de puissance (max)

300W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-220-3
Autres noms

1727-4655
568-5772
568-5772-ND
934057141127
PSMN015-110P
PSMN015-110P,127-ND
PSMN015-110P-ND
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

4900pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

90nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

110V
Description détaillée

N-Channel 110V 75A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

75A (Tc)

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RNC55J2182BSRSL

La description: RES 21.8K OHM 1/8W .1% AXIAL

Fabricant: Dale / Vishay

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Review (1)

Stal***e

2025/05/20

5.0

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