2372026

PSMN3R3-80ES,127

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Spécifications

Modèle de produit

PSMN3R3-80ES,127
Fabricant / marque

Nexperia
Quantité en stock

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La description

MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

PSMN3R3-80ES,127.pdf
Modèle ECAD
Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
La technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Package composant fournisseur

I2PAK
Séries

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.3 mOhm @ 25A, 10V
Dissipation de puissance (max)

338W (Tc)
Emballage

Tube
Package / Boîte

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Autres noms

1727-6502
568-8598-5
568-8598-5-ND
934066133127
PSMN3R380ES127
Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage

Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds

9961pF @ 40V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs

139nC @ 10V
type de FET

N-Channel
Fonction FET

-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)

10V
Tension drain-source (Vdss)

80V
Description détaillée

N-Channel 80V 120A (Tc) 338W (Tc) Through Hole I2PAK
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C

120A (Tc)

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Ce qui suit est des produits liés à "PSMN3R3-80ES,127".

PSMN3R4-30PL,127

La description: MOSFET N-CH 30V TO220AB

Fabricant: Nexperia

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