DMG564060R

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Spécifications

Modèle de produit

DMG564060R
Fabricant / marque

Panasonic
Quantité en stock

En stock
La description

TRANS PREBIAS NPN/PNP SMINI6
État sans plomb / État RoHS

Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Livret des spécifications

DMG564060R.pdf
Modèle ECAD
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)

50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 500µA, 10mA
Transistor Type

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Package composant fournisseur

SMini6-F3-B
Séries

-
Résistance - Base de l'émetteur (R2)

-
Résistance - Base (R1)

4.7 kOhms
Puissance - Max

150mW
Emballage

Cut Tape (CT)
Package / Boîte

6-SMD, Flat Leads
Autres noms

DMG564060RCT
Type de montage

Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)

1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant

11 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition

-
Description détaillée

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 150mW Surface Mount SMini6-F3-B
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

160 @ 5mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)

500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max)

100mA
Numéro de pièce de base

DMG56406

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Ce qui suit est des produits liés à "DMG564060R".

DMG6602SVT-7

La description:

Fabricant: Diodes Incorporated

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