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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé > DRA5124E0L
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DRA5124E0L

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Spécifications
  • Modèle de produit
    DRA5124E0L
  • Fabricant / marque
    Panasonic
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3
  • État sans plomb / État RoHS
    Sans plomb / conforme à la directive RoHS
  • Livret des spécifications
    DRA5124E0L.pdf
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    250mV @ 500µA, 10mA
  • Transistor Type
    PNP - Pre-Biased
  • Package composant fournisseur
    SMini3-F2-B
  • Séries
    -
  • Résistance - Base de l'émetteur (R2)
    22 kOhms
  • Résistance - Base (R1)
    22 kOhms
  • Puissance - Max
    150mW
  • Emballage
    Cut Tape (CT)
  • Package / Boîte
    SC-85
  • Autres noms
    DRA5124E0LCT
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Délai de livraison standard du fabricant
    11 Weeks
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Description détaillée
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount SMini3-F2-B
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    60 @ 5mA, 10V
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    500nA
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    100mA
  • Numéro de pièce de base
    DRA5124

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Paiement
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DRA5144E0L

DRA5144E0L

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DRA5124T0L

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DRA5115E0L

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DRA5143X0L

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DRA5143Y0L

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DRA5143T0L

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DRA5143Z0L

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DRA5113Z0L

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DRA5144T0L

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DRA5123Y0L

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DRA5114T0L

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DRA5143E0L

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DRA5123J0L

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