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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - bipolaire (BJT) - Single, pré biaisé > UNR221800L
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UNR221800L

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Spécifications
  • Modèle de produit
    UNR221800L
  • Fabricant / marque
    Panasonic
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    TRANS PREBIAS NPN 200MW MINI3
  • État sans plomb / État RoHS
    Contient du plomb / Non conforme à RoHS
  • Livret des spécifications
    UNR221800L.pdf
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Transistor Type
    NPN - Pre-Biased
  • Package composant fournisseur
    Mini3-G1
  • Séries
    -
  • Résistance - Base de l'émetteur (R2)
    5.1 kOhms
  • Résistance - Base (R1)
    510 Ohms
  • Puissance - Max
    200mW
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Autres noms
    UN2218-(TX)
    UN2218-TX
    UN2218TR
    UN2218TR-ND
    UNR221800LTR
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Fréquence - Transition
    150MHz
  • Description détaillée
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 200mW Surface Mount Mini3-G1
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    20 @ 5mA, 10V
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    500nA
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    100mA

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UNR221000L

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UNR221V00L

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UNR221K00L

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UNR221400L

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UNR221E00L

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UNR221N00L

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