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UNR511600L

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Spécifications
  • Modèle de produit
    UNR511600L
  • Fabricant / marque
    Panasonic
  • Quantité en stock
    En stock
  • La description
    TRANS PREBIAS PNP 150MW SMINI3
  • État sans plomb / État RoHS
    Contient du plomb / Non conforme à RoHS
  • Livret des spécifications
    UNR511600L.pdf
  • Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)
    50V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Transistor Type
    PNP - Pre-Biased
  • Package composant fournisseur
    SMini3-G1
  • Séries
    -
  • Résistance - Base (R1)
    4.7 kOhms
  • Puissance - Max
    150mW
  • Emballage
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Boîte
    SC-70, SOT-323
  • Autres noms
    UN5116-(TX)
    UN5116-TX
    UN5116TR
    UN5116TR-ND
    UNR511600LTR
  • Type de montage
    Surface Mount
  • Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Statut sans plomb / Statut RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Fréquence - Transition
    150MHz
  • Description détaillée
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 150MHz 150mW Surface Mount SMini3-G1
  • Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    160 @ 5mA, 10V
  • Courant - Collecteur Cutoff (Max)
    500nA
  • Courant - Collecteur (Ic) (max)
    100mA

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UNR5117G0L

UNR5117G0L

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UNR511400L

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UNR511300L

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UNR5119G0L

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UNR5118G0L

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UNR511900L

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UNR5111G0L

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UNR511800L

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UNR5115G0L

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UNR511D00L

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UNR5113G0L

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UNR511DG0L

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UNR511500L

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UNR511100L

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UNR5112G0L

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UNR511700L

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UNR511E00L

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UNR5116G0L

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UNR5114G0L

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UNR511200L

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